武汉新芯申请存储器件及其制备方法专利，减小存储器件占用面积

金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“存储器件及其制备方法”的专利，公开号 CN 119694362 A，申请日期为 2021 年 9 月。

专利摘要显示，本申请是申请号为 2021111607840 的分案申请。本申请公开了一种存储器件及其制备方法，属于存储技术领域，该存储器件包括第一芯片和第二芯片，第一芯片包括存储阵列，存储阵列包括至少一个存储块；第二芯片包括逻辑控制电路，逻辑控制电路包括全局位线译码器，全局位线译码器与至少一个存储块电性连接，通过构造全局位线译码器所形成的全局位线译码器区块位于存储块在第二芯片中的俯视投影区域内可以减小第一芯片与第二芯片堆叠后的面积，进而减小了存储器件的占用面积，有助于实现存储器件的最小化尺寸。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币，实缴资本578214.4726万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目209次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1737条，此外企业还拥有行政许可105个。

本文源自：金融界

作者：情报员