盛吉盛半导体申请降低反应腔室氧气含量专利，实现减少氧气清除时间提高设备产能

金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，盛吉盛半导体科技（北京）有限公司申请一项名为“一种用于降低反应腔室内氧气含量的方法”的专利，公开号CN 119694943 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明提供了一种用于降低反应腔室内氧气含量的方法，包括以下步骤：步骤S1.向反应腔室内持续通入工艺气体，采集反应腔室的内部压力以及传片口处的外部压力，使反应腔室的内部压力高于传片口处的外部压力；步骤S2.打开传片口，将晶圆送入反应腔室，并放置在升降销上，此时，晶圆间隔设置于承托环上方；步骤S3.关闭传片口，开启排气装置，并持续通入工艺气体；步骤S4.采集反应腔室内的氧气浓度，当氧气浓度达到预设值后，下降升降销，使晶圆落在承托环上；步骤S5.开始工艺。通过上述方法，可避免过多氧气进入到反应腔室内以及避免晶圆背部与反应腔室的底部基台之间存在氧气残留，从而实现减少氧气清除时间，提高设备产能。

天眼查资料显示，盛吉盛半导体科技（北京）有限公司，成立于2021年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本28000万人民币，实缴资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，盛吉盛半导体科技（北京）有限公司参与招投标项目22次，专利信息114条，此外企业还拥有行政许可7个。

本文源自：金融界

作者：情报员