无锡沧海云帆电子科技申请半导体结构相关专利，可调节半导体器件阈值电压

金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，无锡沧海云帆电子科技有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN 119698062 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体结构技术领域，公开了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，方法包括：提供第一衬底片和第二衬底片；在第二衬底片的一侧表面沉积多晶硅，形成多晶硅层；在多晶硅层远离第二衬底片的一侧表面生长或沉积氧化物，形成第一埋氧层；在第一埋氧层远离多晶硅层的一侧表面形成图形结构层，图形结构层包括多个导电结构和多个绝缘体结构；基于热氧化工艺，在第一衬底片的一侧表面生长氧化物，形成第二埋氧层；对图形结构层远离第一埋氧层的一侧表面和第二埋氧层进行离子注入处理之后的表面进行键合处理，以得到半导体结构。本发明可以调节半导体器件的阈值电压，灵活优化半导体器件的电学性能。

天眼查资料显示，无锡沧海云帆电子科技有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡沧海云帆电子科技有限公司专利信息12条，此外企业还拥有行政许可4个。

本文源自：金融界

作者：情报员